

工作原理:通过真空主轴吸附工件横向移动,与金刚石磨轮反向高速转动,结合摆动磨削实现均匀减薄,磨削阻力小且工件损伤率低
精度控制:可加工厚度至0.03mm(如蓝宝石衬底),平行度与平面度控制在±0.002mm范围内,硅片减薄效率达0.25mm/min
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自动化配置:采用PLC程控系统和触摸屏操作面板,支持全自动流程(粗磨→精磨→无火花磨削)
半导体制造:用于晶圆减薄(如SiC、GaN材料)、CMP(化学机械抛光)及封装前处理,解决TSV、TGV等先进封装工艺需求
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技术趋势:向更高精度(如5μm以下减薄)、智能化和在线监测发展,结合机械化学研磨降低表面损伤
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